硅片隱裂檢測(cè)

硅片隱裂是指在硅片表面或內(nèi)部產(chǎn)生的微小裂紋，這些裂紋肉眼通常不可見(jiàn)，但在特定條件下，如外力作用或溫度變化等，可能會(huì)導(dǎo)致裂紋擴(kuò)展，進(jìn)而影響光伏組件的性能和安全 。隱裂的產(chǎn)生可以歸因于在硅片上產(chǎn)生的機(jī)械應(yīng)力或熱應(yīng)力，其根本原因包括晶體結(jié)構(gòu)的特性、生產(chǎn)工藝流程中的多個(gè)環(huán)節(jié)、以及電池片越來(lái)越薄的趨勢(shì)降低了其抗機(jī)械破壞的能力。

中科檢測(cè)可提供硅片隱裂檢測(cè)服務(wù)，檢測(cè)報(bào)告具備CMA資質(zhì)。

1.  暗場(chǎng)散射法：入射光被硅片表面反射，若硅片存在微裂紋缺陷，則入射光在微裂紋區(qū)域的散射會(huì)加強(qiáng)。在暗室環(huán)境中，通過(guò)成像系統(tǒng)對(duì)硅片成像并分析散射光強(qiáng)的分布即可識(shí)別出硅片中的微裂紋缺陷。

2.  明場(chǎng)透射法：入射光透射過(guò)硅片表面，若硅片存在微裂紋缺陷，則微裂紋區(qū)域的透射光強(qiáng)較正常區(qū)域低，通過(guò)成像系統(tǒng)對(duì)硅片成像并分析透射光強(qiáng)的分布即可識(shí)別出硅片中的微裂紋缺陷

溫度:18 ℃~35 ℃，且應(yīng)保持恒溫

濕度：相對(duì)濕度≤65%

潔凈度:不低于8級(jí)潔凈室

SJT 11632-2016  太陽(yáng)能電池用硅片微裂紋缺陷的測(cè)試方法

GB/T 14264 半導(dǎo)體材料術(shù)語(yǔ)

GB/T 25074 太陽(yáng)能級(jí)多晶硅

GB/T 25076 太陽(yáng)電池用硅單晶

實(shí)力保障：國(guó)科控股旗下獨(dú)立第三方檢測(cè)機(jī)構(gòu)

周期更短：5-10個(gè)工作日可出具檢測(cè)報(bào)告

優(yōu)質(zhì)服務(wù)：工程師1對(duì)1服務(wù)，全程項(xiàng)目跟進(jìn)

技術(shù)先進(jìn)：科研院所技術(shù)沉淀，先進(jìn)儀器設(shè)備

嚴(yán)謹(jǐn)公正：公正、科學(xué)、準(zhǔn)確、高效

多家分部：接受全國(guó)上門(mén)取樣/寄樣服務(wù)

產(chǎn)品質(zhì)控：國(guó)內(nèi)外市場(chǎng)銷(xiāo)售，資質(zhì)認(rèn)證等等；

電商品控：產(chǎn)品進(jìn)入超市或賣(mài)場(chǎng)，網(wǎng)站商城等；

貿(mào)易活動(dòng)：政府部門(mén)、事業(yè)單位招投標(biāo)、申請(qǐng)補(bǔ)助等；

工廠評(píng)估：工商抽檢或市場(chǎng)監(jiān)督等；

業(yè)務(wù)委托→簽訂合同→現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)→編制檢測(cè)報(bào)告→內(nèi)部評(píng)審→評(píng)審并修改→提交報(bào)告